產品詳情
                        • 產品名稱:帶過渡艙三靶磁控濺射鍍膜儀

                        • 產品型號:CY-MSP325G-2T-DVC-3DC
                        • 產品廠商:成越科儀
                        • 產品文檔:
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                        簡單介紹:
                        本設備為三靶磁控鍍膜儀,可用于金屬薄膜的制備,在電子領域、光學領域、特殊陶瓷制備等領域均有應用,也可實驗室SEM樣品制備
                        詳情介紹:
                        本設備為三靶磁控鍍膜儀,可用于金屬薄膜的制備,在電子領域、光學領域、特殊陶瓷制備等領域均有應用,也可實驗室SEM樣品制備。
                        設備配有三支磁控靶,兩套直流電源,可用于鍍多層導電金屬膜。同時設備具有主腔室和過渡艙兩部分,過渡艙配有磁力推桿,兩個艙室之間裝有真空閘板閥;用戶可以在主腔室進行濺射工作的同時,在過渡艙裝填樣品,并進行真空預抽,待主腔室濺射完成后即可將樣品通過磁力推桿推入主腔室的樣品臺。這樣的設計能夠減少主腔室抽放真空的次數,不僅能有效節省時間,更能保證更好的本地真空,有效提高鍍膜質量

                         三靶磁控鍍膜儀技術參數:

                        供電電源

                        VAC 110, 60Hz

                        樣品

                        位置

                        下部,帶擋板

                        直徑尺寸

                        φ150mm

                        可調轉速

                        0-20rpm 可調

                        加熱溫度

                        RT~500oC

                        真空腔體

                        腔體尺寸

                        φ325xH510mm

                        腔體材料

                        304 不銹鋼

                        內壁處理

                        電解拋光

                        密封方式

                        氟橡膠密封

                        觀察窗口

                        φ100mm(帶擋板)

                        磁控靶

                         

                        數量

                        3

                        擺頭角度

                        可調角度 -45~45

                        濺射方向

                        向下濺射

                        靶材平面

                        圓形平面靶

                        靶材直徑

                        2英寸

                        靶材厚度

                        *厚3mm

                        直流電源

                        數量

                        2

                        電源功率

                        0~500W

                        輸出電壓

                        0600V

                        *大輸出電流

                        1A

                        啟動時間

                        1~10S

                        射頻電源

                        數量

                        1

                        電源功率

                        0~500W

                        射頻頻率

                        13.56MHz

                        匹配方式

                        自動匹配

                        反射功率

                        ≦100W

                        功率穩定性

                        ±0.1%

                        膜厚監測儀

                        通道數

                        單通道

                        測量精度

                        0.1 ?

                        測量速度

                        100ms-1s/次,可設置測量范圍:500000?(鋁)

                        標準傳感器晶體

                        6MHz

                        適用晶片尺寸

                        Φ14mm

                        真空系統

                        前級泵

                        雙極旋片泵,抽速1.1L/s

                        渦輪分子泵

                        抽速600L/s

                        額定轉速:27000rpm

                        啟動時間:≦5min

                        冷卻方式:水冷

                        真空度

                        5x10-4Pa

                        真空測量

                        復合真空計,測量范圍10-5Pa ~ 105 Pa

                        過渡倉

                        腔體尺寸要適用于*大4英寸的晶圓

                        配備分子泵組:

                        前級泵:VRD-4,抽速1.1L/s

                        分子泵:日本TG60F,抽速60L/s

                        水冷機

                        冷卻水流速

                        10L/min

                        整機功率

                        0.1KW

                        冷卻功率

                        50W/℃

                        水箱容量

                        9L

                        氣體控制

                        1路質量流量計:

                        Ar氣,范圍0-200sccm

                        控制系統

                        PLC自動控制

                        豫公網安備 41019702002438號

                        久久人做人爽一区二区三区